NE68119-T1

NE68119, NE68119-A, NE68119-T1, NE68119-T1-A

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNE68119-ANE68119-T1NE68119-T1-A
Корпус мікросхеми
Корпус
Поверхностный монтаж
Виробник
Виробник
NEC
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<65 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<10 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<100 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>8020mA, 8V
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
7 ГГц
Коефіцієнт шума
NF
1.4 дБ ~ 1.8 дБ1GHz ~ 2GHz
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
1
Коефіцієнт підсилення
KdB
14 дБ ~ 10 дБ