NE68030-T1

NE68030, NE68030-A, NE68030-T1, NE68030-T1-A

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрNE68030-ANE68030-T1NE68030-T1-A
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-323
Виробник
Виробник
NEC
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<35 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<10 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<150 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>10010mA, 6V
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
10 ГГц
Коефіцієнт шума
NF
1.5 дБ ~ 2.9 дБ1GHz ~ 4GHz
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
1
Коефіцієнт підсилення
KdB
12.5 дБ ~ 5.3 дБ