На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MSD2714AT1G | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <25 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >901mA, 6V |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 650 МГц |
Коефіцієнт шума | NF | |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 |
Коефіцієнт підсилення | KdB |