На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MRF581A | MRF581G | |
|---|---|---|---|
Виробник | Виробник | Microsemi-PPG | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <200 мА | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <15 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <2.5 Вт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >9050mA, 5V | |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 5 ГГц | |
Коефіцієнт шума | NF | 3 дБ ~ 3.5 дБ500MHz | |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 13 дБ ~ 15.5 дБ | |