На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BFT93,215 | BFT93W,115 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <35 мА | <50 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <12 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >2030mA, 5V | |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 5 ГГц | 4 ГГц |
Коефіцієнт шума | NF | 2.4 дБ500MHz | 2.4 дБ ~ 3 дБ500MHz |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 16.5 дБ | |