На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BFT92,215 | BFT92E6327 | BFT92W,115 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | NXP Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <25 мА | <25 мА | <35 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <15 В | ||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт | (не задано) | <300 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >2014mA, 10V | (не задано) | >2015mA, 10V |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 5 ГГц | (не задано) | 4 ГГц |
Коефіцієнт шума | NF | 2.5 дБ500MHz | 2.5 дБ500MHz | |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | ||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | ||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 18 дБ | 17 дБ | |