На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BFS17,215 | BFS17A,215 | BFS17HTA | BFS17HTC | BFS17PE6327 | BFS17PE6433 | BFS17SE6327 | BFS17TA | BFS17W,115 | BFS17WE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SOT-23 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Diodes/Zetex | Diodes/Zetex | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Diodes/Zetex | NXP Semiconductors | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <25 мА | <25 мА | <25 мА | <25 мА | <25 мА | <25 мА | <25 мА | <25 мА | <50 мА | <25 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <15 В | |||||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт | <300 мВт | <330 мВт | <330 мВт | <280 мВт | <280 мВт | <280 мВт | <330 мВт | <300 мВт | <280 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >252mA, 1V | >252mA, 1V | >702mA, 1V | >702mA, 1V | >402mA, 1V | >402mA, 1V | >402mA, 1V | >2025mA, 1V | >252mA, 1V | >402mA, 1V |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 1 ГГц | 2.8 ГГц | 1.3 ГГц | 1.3 ГГц | 2.5 ГГц | 2.5 ГГц | 2.5 ГГц | 1 ГГц | 1.6 ГГц | 2.5 ГГц |
Коефіцієнт шума | NF | 4.5 дБ500MHz | 2.5 дБ800MHz | 4.5 дБ500MHz | 4.5 дБ500MHz | 3.5 дБ ~ 5 дБ800MHz | 3.5 дБ ~ 5 дБ800MHz | 3 дБ ~ 5 дБ800MHz | 4.5 дБ500MHz | 4.5 дБ500MHz | 3.5 дБ ~ 5 дБ800MHz |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |||||||||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | |||||||||
Коефіцієнт підсилення | KdB | ||||||||||
Compression Point (P1dB) | P1dB | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | 10 dBm | 10 dBm | 11 dBm | (не задано) | (не задано) | 11 dBm |