На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BFR949L3E6327 | BFR949TE6327 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TSLP-3-1 | SC-75 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <50 мА | <35 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <10 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <250 мВт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >1005mA, 6V | |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 9 ГГц | |
Коефіцієнт шума | NF | 1 дБ ~ 2.5 дБ1GHz | |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 21.5 дБ | 20 дБ |