BFR93AE6327

BFR93, BFR93A,215, BFR93AE6327, BFR93AR,215, BFR93AW,115, BFR93AWE6327

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBFR93A,215BFR93AE6327BFR93AR,215BFR93AW,115BFR93AWE6327
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SOT-323
Виробник
Виробник
NXP SemiconductorsInfineon TechnologiesNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon Technologies
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<35 мА<90 мА<35 мА<35 мА<90 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<12 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<300 мВт<300 мВт<350 мВт<300 мВт<300 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>4030mA, 5V>7030mA, 8V>4030mA, 5V>4030mA, 5V>7030mA, 8V
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
6 ГГц6 ГГц6 ГГц5 ГГц6 ГГц
Коефіцієнт шума
NF
1.9 дБ1GHz1.5 дБ ~ 2.6 дБ900MHz ~ 1.8GHz1.9 дБ1GHz1.5 дБ1GHz1.5 дБ ~ 2.6 дБ900MHz ~ 1.8GHz
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
1
Коефіцієнт підсилення
KdB