На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BFR740L3E6327 | BFR740L3RHE6327 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TSLP-3-1 | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <30 мА | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <4 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <160 мВт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >16025mA, 3V | |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 42 ГГц | |
Коефіцієнт шума | NF | 500 мдБ ~ 800 мдБ1.8GHz ~ 6Ghz | |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 24 дБ | 24.5 дБ |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 11 dBm | |