На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BFR505,215 | BFR505T,115 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | EMT3 (SOT-416, SC-75-3) |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <18 мА | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <15 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <150 мВт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >605mA, 6V | |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 9 ГГц | |
Коефіцієнт шума | NF | 1.2 дБ ~ 1.9 дБ900MHz ~ 2GHz | 1.2 дБ ~ 1.7 дБ900MHz |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 17 дБ ~ 10 дБ | |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 4 dBm | |