На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BFR380FE6327 | BFR380L3E6327 | BFR380TE6327 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TSFP-3 | TSLP-3-1 | SC-75 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <80 мА | ||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <6 В | ||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <380 мВт | ||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >9040mA, 3V | >9040mA, 3V | >6040mA, 3V |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 14 ГГц | ||
Коефіцієнт шума | NF | 1.1 дБ ~ 1.6 дБ1.8GHz ~ 3GHz | 1.1 дБ1.8GHz | 1.1 дБ1.8GHz |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | ||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | ||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 13.5 дБ ~ 9.5 дБ | 13.5 дБ ~ 9.5 дБ | 12.5 дБ ~ 8.5 дБ |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 17 dBm | 16 dBm | 16 dBm |