На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BFR182B6663 | BFR182E6327 | BFR182TE6327 | BFR182WE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23 | SOT-23 | SC-75 | SOT-323 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <35 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <12 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <250 мВт | |||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >7010mA, 8V | >7010mA, 8V | >5010mA, 8V | >7010mA, 8V |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 8 ГГц | |||
Коефіцієнт шума | NF | 900 мдБ ~ 1.3 дБ900MHz ~ 1.8GHz | 900 мдБ ~ 1.3 дБ900MHz ~ 1.8GHz | 1.2 дБ ~ 1.9 дБ900MHz ~ 1.8GHz | 900 мдБ ~ 1.3 дБ900MHz ~ 1.8GHz |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | |||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 18 дБ ~ 12 дБ | 18 дБ ~ 12 дБ | 20 дБ | 19 дБ |