На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BFQ19,115 | BFQ19SE6327 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-89 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | Infineon Technologies |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | <210 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <15 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <1 Вт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >2570mA, 10V | >7070mA, 8V |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 5.5 ГГц | |
Коефіцієнт шума | NF | 3.3 дБ500MHz | 1.8 дБ ~ 3 дБ900MHz ~ 1.8Ghz |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | |
Коефіцієнт підсилення | KdB | ||