На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BFP540E6327 | BFP540ESDE6327 | BFP540FE6327 | BFP540FESDE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | TSFP-4 | TSFP-4 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <80 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <4.5 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <250 мВт | |||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >5020mA, 3.5V | |||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 30 ГГц | |||
Коефіцієнт шума | NF | 900 мдБ ~ 1.4 дБ1.8GHz | |||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | |||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 21.5 дБ | 21.5 дБ | 20 дБ | 16 дБ |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 11 dBm | |||