На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BFP450E6327 | BFP450E6433 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <4.5 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <450 мВт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >6050mA, 4V | |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 24 ГГц | |
Коефіцієнт шума | NF | 1.25 дБ1.8GHz | |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 15.5 дБ | |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 19 dBm | 19 dBm ~ 18.5 dBm |