На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BFP196E6327 | BFP196RE6501 | BFP196WE6327 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <150 мА | ||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <12 В | ||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <700 мВт | ||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >7050mA, 8V | ||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 7.5 ГГц | ||
Коефіцієнт шума | NF | 1.3 дБ ~ 2.3 дБ900MHz ~ 1.8GHz | 1.3 дБ ~ 2.3 дБ900MHz ~ 1.8GHz | 1.2 дБ ~ 2.3 дБ900MHz ~ 1.8GHz |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | ||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | ||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 16.5 дБ ~ 10.5 дБ | 16.5 дБ ~ 10.5 дБ | 19 дБ ~ 12.5 дБ |