На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BFP193E6327 | BFP193WE6327 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <80 мА | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <12 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <580 мВт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >7030mA, 8V | |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 8 ГГц | |
Коефіцієнт шума | NF | 1 дБ ~ 1.6 дБ900MHz ~ 1.8GHz | |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 18 дБ ~ 12 дБ | 20.5 дБ ~ 13.5 дБ |