На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BFG540,215 | BFG540W,115 | BFG540W/X,115 | BFG540/X,215 | BFG540/XR,215 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | SOT-343N | SOT-343N | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <120 мА | ||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <15 В | ||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <400 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <400 мВт | <400 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >6040mA, 8V | >10040mA, 8V | >10040mA, 8V | >10040mA, 8V | >6040mA, 8V |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 9 ГГц | ||||
Коефіцієнт шума | NF | 1.9 дБ ~ 2.4 дБ900MHz | 2.1 дБ2GHz | 2.1 дБ2GHz | 1.3 дБ ~ 2.1 дБ900MHz ~ 2GHz | 1.3 дБ ~ 1.8 дБ900MHz |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | ||||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | ||||
Коефіцієнт підсилення | KdB | |||||
Compression Point (P1dB) | P1dB | 21 dBm | ||||