BFG505,215

BFG505, BFG505,215, BFG505/X,215

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBFG505,215BFG505/X,215
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<18 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<15 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<150 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>605mA, 6V
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
9 ГГц
Коефіцієнт шума
NF
1.2 дБ ~ 1.9 дБ900MHz ~ 2GHz
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
1
Коефіцієнт підсилення
KdB
16 дБ ~ 17 дБ
Compression Point (P1dB)
P1dB
(не задано)4 dBm