BFG480W,115

BFG480, BFG480W,115

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBFG480W,115
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-343R
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<250 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<4.5 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<360 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>4080mA, 2V
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
21 ГГц
Коефіцієнт шума
NF
1.8 дБ2GHz
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
1
Коефіцієнт підсилення
KdB
16 дБ
Compression Point (P1dB)
P1dB
20 dBm