На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BFG424F,115 | BFG424W,115 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-343F, SOT-343 Flat Leads | SOT-343R |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <30 мА | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <4.5 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <135 мВт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >5025mA, 2V | |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 25 ГГц | |
Коефіцієнт шума | NF | 1.2 дБ2GHz | |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 23 дБ | 18 дБ |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 12 dBm | |