На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BFG410W,115 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-343R |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <12 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <4.5 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <54 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >5010mA, 2V |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 22 ГГц |
Коефіцієнт шума | NF | 1.2 дБ2GHz |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 21 дБ |
Compression Point (P1dB) | P1dB | 5 dBm |