AT-32011-TR1

AT-32011, AT-32011-BLKG, AT-32011-TR1, AT-32011-TR1G, AT-32011-TR2G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрAT-32011-BLKGAT-32011-TR1AT-32011-TR1GAT-32011-TR2G
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Виробник
Виробник
Avago Technologies US Inc.
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<16 мА<32 мА<32 мА<16 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<5.5 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<150 мВт<200 мВт<200 мВт<150 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>701mA, 2.7V>702mA, 2.7V>702mA, 2.7V>701mA, 2.7V
Коефіцієнт шума
NF
900 мдБ ~ 1.2 дБ900MHz1 дБ900MHz1 дБ ~ 1.3 дБ900MHz900 мдБ ~ 1.2 дБ900MHz
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
1
Коефіцієнт підсилення
KdB
9 дБ ~ 11 дБ12.5 дБ ~ 14 дБ12.5 дБ ~ 14 дБ9 дБ ~ 11 дБ
Compression Point (P1dB)
P1dB
9 dBm(не задано)(не задано)9 dBm