На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 4MN10CH-TL-E | |
|---|---|---|
Виробник | Виробник | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <200 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <600 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >6010mA, 10V |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | 400 МГц |
Коефіцієнт шума | NF | |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 |
Коефіцієнт підсилення | KdB |