На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MOCD213M | MOCD213R1M | MOCD213R1VM | MOCD213R2M | MOCD213R2VM | MOCD213VM | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Вхідний струм | Iin | <60 мА | |||||
Вихідна напруга | Uout | <70 В | |||||
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC | |||||
Каналів | Каналів | 2 | |||||
Виробник | Виробник | Fairchild Optoelectronics Grou | |||||
Допустима напруга ізоляції | UINS | <2.5 кВRMS | |||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | |||||
Тип входу оптопари | Тип входу | DC | |||||
Вихідний струм на канал | IOUT/CH | <150 мА | |||||
Тип виходу транзисторної оптопари | Тип виходу | Transistor | |||||
Current Transfer Ratio | K | >100 %10mA | |||||