На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MCT6H | MCT6S | MCT6SD | MCT6W | |
|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір |
Вхідний струм | Iin | <60 мА | |||
Вихідна напруга | Uout | <30 В | |||
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-DIP (300 mil), 8-DIP (300 mil) | 8-DIP (300 mil), 8-SMD | 8-DIP (300 mil), 8-SMD | 8-DIP (300 mil), 8-DIP (400 mil) |
Каналів | Каналів | 2 | |||
Виробник | Виробник | Vishay/Semiconductors | |||
Допустима напруга ізоляції | UINS | <5 кВRMS | |||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | |||
Тип входу оптопари | Тип входу | DC | |||
Вихідний струм на канал | IOUT/CH | <30 мА | |||
Тип виходу транзисторної оптопари | Тип виходу | Transistor | |||
Current Transfer Ratio | K | >50 %5mA | >20 %10mA | >20 %10mA | >20 %10mA |