MCT2

MCT2, MCT2E, MCT2E300, MCT2E300W, MCT2E3S, MCT2E3SD, MCT2EFM, MCT2EFR2M, MCT2EFR2VM, MCT2EFVM, MCT2EM, MCT2ES, MCT2ESD, MCT2ESM, MCT2ESR2M, MCT2ESR2VM, MCT2ESVM, MCT2ETM, MCT2ETVM, MCT2EVM, MCT2EW, MCT2FM, MCT2FR2M, MCT2FR2VM, MCT2FVM, MCT2M, MCT2S, MCT2SD, MCT2SM, MCT2SR2M, MCT2SR2VM, MCT2SVM, MCT2TM, MCT2TVM, MCT2VM, MCT2W

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMCT2EMCT2E300MCT2E300WMCT2E3SMCT2E3SDMCT2EFMMCT2EFR2MMCT2EFR2VMMCT2EFVMMCT2EMMCT2ESMCT2ESDMCT2ESMMCT2ESR2MMCT2ESR2VMMCT2ESVMMCT2ETMMCT2ETVMMCT2EVMMCT2EWMCT2FMMCT2FR2MMCT2FR2VMMCT2FVMMCT2MMCT2SMCT2SDMCT2SMMCT2SR2MMCT2SR2VMMCT2SVMMCT2TMMCT2TVMMCT2VMMCT2W
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвір
Вхідний струм
Iin
<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА
Вихідна напруга
Uout
<30 В
Корпус мікросхеми
Корпус
6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP Wide6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SOIC6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SOIC6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP Wide6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP Wide
Каналів
Каналів
1
Виробник
Виробник
Fairchild Optoelectronics Grou
Допустима напруга ізоляції
UINS
<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<400 мВ
Тип входу оптопари
Тип входу
DC
Вихідний струм на канал
IOUT/CH
<50 мА
Тип виходу транзисторної оптопари
Тип виходу
Transistor with Base
Current Transfer Ratio
K
>20 %10mA