На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | H11G2M | H11G2M_F132 | H11G2S | H11G2SD | H11G2SM | H11G2SR2M | H11G2SR2VM | H11G2SVM | H11G2TVM | H11G2VM | H11G2W | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір |
Вхідний струм | Iin | <60 мА | ||||||||||
Вихідна напруга | Uout | <80 В | ||||||||||
Корпус мікросхеми | Корпус | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-DIP Wide |
Каналів | Каналів | 1 | ||||||||||
Виробник | Виробник | Fairchild Optoelectronics Grou | ||||||||||
Допустима напруга ізоляції | UINS | <5.3 кВRMS | ||||||||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <1 В | ||||||||||
Тип входу оптопари | Тип входу | DC | ||||||||||
Тип виходу транзисторної оптопари | Тип виходу | Darlington with Base | ||||||||||
Current Transfer Ratio | K | >500 %1mA | ||||||||||