На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | H11G1M | H11G1S | H11G1SD | H11G1SM | H11G1SR2M | H11G1SR2VM | H11G1TVM | H11G1W | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Крізь отвір |
Вхідний струм | Iin | <60 мА | |||||||
Вихідна напруга | Uout | <100 В | |||||||
Корпус мікросхеми | Корпус | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-DIP Wide |
Каналів | Каналів | 1 | |||||||
Виробник | Виробник | Fairchild Optoelectronics Grou | |||||||
Допустима напруга ізоляції | UINS | <5.3 кВRMS | |||||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <1 В | |||||||
Тип входу оптопари | Тип входу | DC | |||||||
Тип виходу транзисторної оптопари | Тип виходу | Darlington with Base | |||||||
Current Transfer Ratio | K | >500 %1mA | |||||||