На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | H11D4S | H11D4SD | H11D4W | |
|---|---|---|---|---|
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір |
Вихідна напруга | Uout | <200 В | ||
Корпус мікросхеми | Корпус | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-DIP Wide |
Каналів | Каналів | 1 | ||
Виробник | Виробник | Fairchild Optoelectronics Grou | ||
Допустима напруга ізоляції | UINS | <5.3 кВRMS | ||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | ||
Тип входу оптопари | Тип входу | DC | ||
Вихідний струм на канал | IOUT/CH | <100 мА | ||
Тип виходу транзисторної оптопари | Тип виходу | Transistor with Base | ||
Current Transfer Ratio | K | >10 %1mA | ||