На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | H11D3M | H11D3S | H11D3SD | H11D3SM | H11D3SR2M | H11D3W | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір |
Вхідний струм | Iin | <60 мА | |||||
Вихідна напруга | Uout | <200 В | |||||
Корпус мікросхеми | Корпус | 6-DIP (300 mil), 6-DIP | 6-DIP (300 mil), 6-SOIC | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide |
Каналів | Каналів | 1 | |||||
Виробник | Виробник | Vishay/Semiconductors | |||||
Допустима напруга ізоляції | UINS | <5.3 кВRMS | |||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | |||||
Тип входу оптопари | Тип входу | DC | |||||
Вихідний струм на канал | IOUT/CH | <100 мА | |||||
Тип виходу транзисторної оптопари | Тип виходу | Transistor with Base | |||||
Current Transfer Ratio | K | >20 %10mA | |||||