На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | H11D2M | H11D2S | H11D2SD | H11D2SR2M | H11D2SR2VM | H11D2VM | H11D2W | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Крізь отвір |
Вхідний струм | Iin | <60 мА | ||||||
Вихідна напруга | Uout | <300 В | ||||||
Корпус мікросхеми | Корпус | 6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide | 6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide |
Каналів | Каналів | 1 | ||||||
Виробник | Виробник | Vishay/Semiconductors | ||||||
Допустима напруга ізоляції | UINS | <5.3 кВRMS | ||||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | ||||||
Тип входу оптопари | Тип входу | DC | ||||||
Вихідний струм на канал | IOUT/CH | <100 мА | ||||||
Тип виходу транзисторної оптопари | Тип виходу | Transistor with Base | ||||||
Current Transfer Ratio | K | >20 %10mA | ||||||