H11D1

H11D1, H11D1M, H11D1S, H11D1S-TA, H11D1S-TA1, H11D1SD, H11D1SM, H11D1SR2M, H11D1SR2VM, H11D1SVM, H11D1TM, H11D1VM, H11D1W

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрH11D1MH11D1SH11D1S-TAH11D1S-TA1H11D1SDH11D1SMH11D1SR2MH11D1SR2VMH11D1SVMH11D1TMH11D1VMH11D1W
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвір
Вхідний струм
Iin
<60 мА
Вихідна напруга
Uout
<300 В
Корпус мікросхеми
Корпус
6-DIP (300 mil), 6-DIP6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-DIP6-DIP (300 mil), 6-DIP6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide
Каналів
Каналів
1
Виробник
Виробник
Fairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouLite-On IncLite-On IncFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics Grou
Допустима напруга ізоляції
UINS
<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<5 кВRMS<5 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<400 мВ
Тип входу оптопари
Тип входу
DC
Вихідний струм на канал
IOUT/CH
<100 мА
Тип виходу транзисторної оптопари
Тип виходу
Transistor with Base
Current Transfer Ratio
K
>20 %2mA>20 %2mA>20 %10mA>20 %10mA>20 %2mA>20 %2mA>20 %2mA>20 %2mA>20 %2mA>20 %2mA>20 %2mA>20 %2mA