На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | H11B815S | H11B815SD | H11B815W | |
|---|---|---|---|---|
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір |
Вхідний струм | Iin | <50 мА | ||
Вихідна напруга | Uout | <35 В | ||
Корпус мікросхеми | Корпус | 4-DIP, 4-SMD | 4-DIP, 4-SMD | 4-DIP, 4-DIP Wide |
Каналів | Каналів | 1 | ||
Виробник | Виробник | Fairchild Optoelectronics Grou | ||
Допустима напруга ізоляції | UINS | <5 кВRMS | ||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <1 В | ||
Тип входу оптопари | Тип входу | DC | ||
Вихідний струм на канал | IOUT/CH | <80 мА | ||
Тип виходу транзисторної оптопари | Тип виходу | Darlington | ||
Current Transfer Ratio | K | >600 %1mA | ||