H11B1M

H11B1, H11B1M, H11B1S, H11B1SD, H11B1SM, H11B1SR2M, H11B1SR2VM, H11B1VM, H11B1W

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрH11B1MH11B1SH11B1SDH11B1SMH11B1SR2MH11B1SR2VMH11B1VMH11B1W
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірКрізь отвір
Вхідний струм
Iin
<60 мА
Вихідна напруга
Uout
<25 В
Корпус мікросхеми
Корпус
6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide
Каналів
Каналів
1
Виробник
Виробник
Vishay/Semiconductors
Допустима напруга ізоляції
UINS
<5.3 кВRMS
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1 В
Тип входу оптопари
Тип входу
DC
Вихідний струм на канал
IOUT/CH
<100 мА
Тип виходу транзисторної оптопари
Тип виходу
Darlington with Base
Current Transfer Ratio
K
>500 %1mA