На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | H11AG1M | H11AG1S | H11AG1SD | H11AG1SM | H11AG1SR2M | H11AG1TVM | H11AG1VM | H11AG1W | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір |
Вхідний струм | Iin | <50 мА | |||||||
Вихідна напруга | Uout | <30 В | |||||||
Корпус мікросхеми | Корпус | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-DIP Wide |
Каналів | Каналів | 1 | |||||||
Виробник | Виробник | Fairchild Optoelectronics Grou | |||||||
Допустима напруга ізоляції | UINS | <5.3 кВRMS | |||||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | |||||||
Тип входу оптопари | Тип входу | DC | |||||||
Вихідний струм на канал | IOUT/CH | <50 мА | |||||||
Тип виходу транзисторної оптопари | Тип виходу | Transistor with Base | |||||||
Current Transfer Ratio | K | >100 %1mA | |||||||