H11A4

H11A4, H11A4FM, H11A4FR2M, H11A4FR2VM, H11A4FVM, H11A4M, H11A4S, H11A4S-TA, H11A4S-TA1, H11A4SD, H11A4SM, H11A4SR2M, H11A4SR2VM, H11A4SVM, H11A4TM, H11A4TVM, H11A4VM, H11A4W

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрH11A4FMH11A4FR2MH11A4FR2VMH11A4FVMH11A4MH11A4SH11A4S-TAH11A4S-TA1H11A4SDH11A4SMH11A4SR2MH11A4SR2VMH11A4SVMH11A4TMH11A4TVMH11A4VMH11A4W
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
ПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвір
Вхідний струм
Iin
<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА
Вихідна напруга
Uout
<30 В
Корпус мікросхеми
Корпус
6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP Wide6-DIP, 6-DIP Wide6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP Wide
Каналів
Каналів
1
Виробник
Виробник
Fairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouLite-On IncLite-On IncLite-On IncFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics Grou
Допустима напруга ізоляції
UINS
<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5 кВRMS<5 кВRMS<5 кВRMS<5.3 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<400 мВ
Тип входу оптопари
Тип входу
DC
Вихідний струм на канал
IOUT/CH
<150 мА
Тип виходу транзисторної оптопари
Тип виходу
Transistor with Base
Current Transfer Ratio
K
>10 %10mA