4N32(SHORT)

4N32, 4N32M, 4N32S, 4N32SD, 4N32(SHORT), 4N32(SHORT,F), 4N32SM, 4N32SR2M, 4N32SVM, 4N32TVM, 4N32VM, 4N32W

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр4N32M4N32S4N32SD4N32(SHORT)4N32(SHORT,F)4N32SM4N32SR2M4N32SVM4N32TVM4N32VM4N32W
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірПоверхневийПоверхневийКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвір
Вхідний струм
Iin
<60 мА
Вихідна напруга
Uout
<30 В
Корпус мікросхеми
Корпус
6-DIP (300 mil), 6-DIP6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-DIP6-DIP (300 mil), 6-DIP6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-DIP6-DIP (300 mil), 6-DIP6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide
Каналів
Каналів
1
Виробник
Виробник
Fairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouToshibaToshibaFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics Grou
Допустима напруга ізоляції
UINS
<2.5 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВDC<2.5 кВDC<2.5 кВDC<2.5 кВDC<5.3 кВRMS
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1 В
Тип входу оптопари
Тип входу
DC
Вихідний струм на канал
IOUT/CH
<150 мА<150 мА<150 мА<100 мА<100 мА<150 мА<150 мА<150 мА<150 мА<150 мА<150 мА
Тип виходу транзисторної оптопари
Тип виходу
Darlington with Base
Current Transfer Ratio
K
>500 %10mA