4N30S

4N30, 4N30M, 4N30S, 4N30SD, 4N30SM, 4N30SR2M, 4N30W

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр4N30M4N30S4N30SD4N30SM4N30SR2M4N30W
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвір
Вихідна напруга
Uout
<30 В
Корпус мікросхеми
Корпус
6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP Wide
Каналів
Каналів
1
Виробник
Виробник
Fairchild Optoelectronics Grou
Допустима напруга ізоляції
UINS
<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1 В
Тип входу оптопари
Тип входу
DC
Вихідний струм на канал
IOUT/CH
<150 мА
Тип виходу транзисторної оптопари
Тип виходу
Darlington with BaseDarlington with BaseDarlington with BaseDarlington with BaseTransistor with BaseDarlington with Base
Current Transfer Ratio
K
>100 %10mA