4N25

4N25, 4N25-000E, 4N25-060E, 4N25-300E, 4N25-360E, 4N25-500E, 4N25-560E, 4N25A(SHORT), 4N25A(SHORT,F), 4N25FM, 4N25FR2M, 4N25FR2VM, 4N25FVM, 4N25M, 4N25S, 4N25SD, 4N25(SHORT), 4N25(SHORT,F), 4N25SHORT(TP1,F), 4N25SM, 4N25SR2M, 4N25SR2VM, 4N25S-TA, 4N25S-TA1, 4N25SVM, 4N25TM, 4N25TVM, 4N25VM, 4N25W, 4N25-W00E, 4N25-W60E

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр4N25-000E4N25-060E4N25-300E4N25-360E4N25-500E4N25-560E4N25A(SHORT)4N25A(SHORT,F)4N25FM4N25FR2M4N25FR2VM4N25FVM4N25M4N25S4N25SD4N25(SHORT)4N25(SHORT,F)4N25SHORT(TP1,F)4N25SM4N25SR2M4N25SR2VM4N25S-TA4N25S-TA14N25SVM4N25TM4N25TVM4N25VM4N25W4N25-W00E4N25-W60E
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвірКрізь отвір
Вхідний струм
Iin
<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<60 мА<100 мА<60 мА<100 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА<100 мА<100 мА
Вихідна напруга
Uout
<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<70 В<70 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<70 В<70 В<70 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В
Корпус мікросхеми
Корпус
6-DIP, 6-DIP (300 mil)6-DIP, 6-DIP (300 mil)6-DIP, 6-SMD Gull Wing6-DIP, 6-SMD Gull Wing6-DIP, 6-SMD Gull Wing6-DIP, 6-SMD Gull Wing6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP (400 mil)6-DIP, 6-DIP (400 mil)
Каналів
Каналів
11111111111111111111111111111
Виробник
Виробник
Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.ToshibaToshibaFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouLite-On IncLite-On IncFairchild Optoelectronics GrouToshibaToshibaToshibaFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouLite-On IncLite-On IncFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouAvago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.
Допустима напруга ізоляції
UINS
<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<5.3 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS<7.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<500 мВ
Тип входу оптопари
Тип входу
DC
Вихідний струм на канал
IOUT/CH
<100 мА
Тип виходу транзисторної оптопари
Тип виходу
Transistor with Base
Current Transfer Ratio
K
>20 %10mA