На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | T410-800B | T410-800B-TR | T410-800H | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) |
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | Поверхневий | Крізь отвір |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 1 | ||
Repetitive peak off-state voltage | V | <800 В | ||
Напруга відмикання | VGT | <1.3 В | ||
Максимальний середньоквадратичний струм у відкритому стані | IT(RMS) | <4 А | ||
Струм відмикання | IGT | 10 мА | ||
Струм утримання | IH | <15 мА | ||
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 10мс (50 Гц) | ITSM/50Hz | <30 А | ||
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 8,3мс (60 Гц) | ITSM/60Hz | <31 А | ||
Тип симістора | Тип | Logic - Sensitive Gate | ||