BTA212B-800B,118

BTA212B-800, BTA212B-800B,118, BTA212B-800E,118

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBTA212B-800B,118BTA212B-800E,118
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
1
Repetitive peak off-state voltage
VDRM/VRRM
<800 В
Напруга відмикання
VGT
<1.5 В
Максимальний середньоквадратичний струм у відкритому стані
IT(RMS)
<12 А
Струм відмикання
IGT
50 мА10 мА
Струм утримання
IH
<60 мА<25 мА
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 10мс (50 Гц)
ITSM/50Hz
<95 А
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 8,3мс (60 Гц)
ITSM/60Hz
<105 А
Тип симістора
Тип
СтандартLogic - Sensitive Gate