BT136S-800

BT136S-800, BT136S-800,118, BT136S-800E,118, BT136S-800F,118

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBT136S-800,118BT136S-800E,118BT136S-800F,118
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
1
Repetitive peak off-state voltage
VDRM/VRRM
<800 В
Напруга відмикання
VGT
<1.5 В
Максимальний середньоквадратичний струм у відкритому стані
IT(RMS)
<4 А
Струм відмикання
IGT
35 мА10 мА25 мА
Струм утримання
IH
<15 мА
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 10мс (50 Гц)
ITSM/50Hz
<25 А
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 8,3мс (60 Гц)
ITSM/60Hz
<27 А
Тип симістора
Тип
СтандартLogic - Sensitive GateСтандарт