На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | B511-2 | B511-2T | B511F-2 | B511F-2T | B511FSE-2T | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Module with Isolation Barriers | Модуль | Module with Isolation Barriers | Модуль | Модуль |
Виробник | Виробник | Crydom Co. | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | ||||
Repetitive peak off-state voltage | V | <400 В | ||||
Максимальний середньоквадратичний струм у відкритому стані | IT(RMS) | <25 А | ||||
Струм відмикання | IGT | <60 мА | ||||
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 8,3мс (60 Гц) | ITSM/60Hz | <250 А | ||||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 4 | ||||
Конфігурація тринисторної збірки | Конфігурація | Bridge, Single Phase - 2 SCRs, 2 Diodes | ||||