S2008VS2

S2008V, S2008VS2, S2008VS2TP, S2008VS3, S2008VS3TP, S2008VTP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрS2008VS2S2008VS2TPS2008VS3S2008VS3TPS2008VTP
Корпус мікросхеми
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Виробник
Виробник
Littelfuse / Teccor Brand Thyr
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Repetitive peak off-state voltage
VDRM/VRRM
<200 В
Напруга відмикання
VGT
<800 мВ
Максимальний середній струм у відкритому стані при вказаній температурі корпусу
IT(AV)
<5.1 А
Максимальний середньоквадратичний струм у відкритому стані
IT(RMS)
<8 А
Струм відмикання
IGT
<200 мкА<200 мкА<500 мкА<500 мкА<15 мА
Струм утримання
IH
<6 мА<6 мА<8 мА<8 мА<8 мА
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 10мс (50 Гц)
ITSM/50Hz
<83 А
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 8,3мс (60 Гц)
ITSM/60Hz
<100 А
Тип тиристора
Тип
Sensitive GateSensitive GateSensitive GateSensitive GateStandard Recovery