S2008DS2RP

S2008D, S2008DRP, S2008DS2RP, S2008DS2TP, S2008DS3RP, S2008DS3TP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрS2008DRPS2008DS2RPS2008DS2TPS2008DS3RPS2008DS3TP
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
Littelfuse / Teccor Brand Thyr
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Repetitive peak off-state voltage
VDRM/VRRM
<200 В
Напруга відмикання
VGT
<1.5 В<800 мВ<800 мВ<800 мВ<800 мВ
Максимальний середній струм у відкритому стані при вказаній температурі корпусу
IT(AV)
<5.1 А
Максимальний середньоквадратичний струм у відкритому стані
IT(RMS)
<8 А
Струм відмикання
IGT
<15 мА<200 мкА<200 мкА<500 мкА<500 мкА
Струм утримання
IH
<30 мА<6 мА<6 мА<8 мА<8 мА
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 10мс (50 Гц)
ITSM/50Hz
<60 А<83 А<83 А<83 А<83 А
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 8,3мс (60 Гц)
ITSM/60Hz
<100 А
Тип тиристора
Тип
Standard RecoverySensitive GateSensitive GateSensitive GateSensitive Gate