На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NYC0102BLT1G | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Repetitive peak off-state voltage | V | <200 В |
Напруга відмикання | VGT | <800 мВ |
Максимальний середньоквадратичний струм у відкритому стані | IT(RMS) | <250 мА |
Струм відмикання | IGT | <200 мкА |
Струм утримання | IH | <6 мА |
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 8,3мс (60 Гц) | ITSM/60Hz | <7 А |
Тип тиристора | Тип | Sensitive Gate |