MCR12

MCR12, MCR12D, MCR12DCMT4, MCR12DCMT4G, MCR12DCNT4, MCR12DCNT4G, MCR12DG, MCR12DSMT4, MCR12DSMT4G, MCR12DSN-001, MCR12DSN-1G, MCR12DSNT4, MCR12DSNT4G, MCR12LD, MCR12LDG, MCR12LM, MCR12LMG, MCR12LNG, MCR12M, MCR12MG, MCR12N, MCR12NG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		MCR12D	MCR12DCMT4	MCR12DCMT4G	MCR12DCNT4	MCR12DCNT4G	MCR12DG	MCR12DSMT4	MCR12DSMT4G	MCR12DSN-001	MCR12DSN-1G	MCR12DSNT4	MCR12DSNT4G	MCR12LD	MCR12LDG	MCR12LM	MCR12LMG	MCR12LNG	MCR12M	MCR12MG	MCR12N	MCR12NG
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-220-3 (Straight Leads)	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	TO-220-3 (Straight Leads)	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)	IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)
Виробник	Виробник	ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий	Крізь отвір	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір	Крізь отвір
Repetitive peak off-state voltage	VDRM/VRRM	<400 В	<600 В	<600 В	<800 В	<800 В	<400 В	<600 В	<600 В	<800 В	<800 В	<800 В	<800 В	<400 В	<400 В	<600 В	<600 В	<800 В	<600 В	<600 В	<800 В	<800 В
Напруга відмикання	VGT	<1 В	<1 В	<1 В	<1 В	<1 В	<1 В	<1 В	<1 В	<1 В	<1 В	<1 В	<1 В	<800 мВ	<800 мВ	<800 мВ	<800 мВ	<800 мВ	<1 В	<1 В	<1 В	<1 В
Максимальний середній струм у відкритому стані при вказаній температурі корпусу	IT(AV)	(не задано)	<7.8 А	<7.8 А	<7.8 А	<7.8 А	(не задано)	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Максимальний середньоквадратичний струм у відкритому стані	IT(RMS)	<12 А
Струм відмикання	IGT	<20 мА	<20 мА	<20 мА	<20 мА	<20 мА	<20 мА	<200 мкА	<200 мкА	<200 мкА	<200 мкА	<200 мкА	<200 мкА	<8 мА	<8 мА	<8 мА	<8 мА	<8 мА	<20 мА	<20 мА	<20 мА	<20 мА
Струм утримання	IH	<40 мА	<40 мА	<40 мА	<40 мА	<40 мА	<40 мА	<6 мА	<6 мА	<6 мА	<6 мА	<6 мА	<6 мА	<20 мА	<20 мА	<20 мА	<20 мА	<20 мА	<40 мА	<40 мА	<40 мА	<40 мА
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 8,3мс (60 Гц)	I_TSM/60Hz	<100 А
Тип тиристора	Тип	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Sensitive Gate	Sensitive Gate	Sensitive Gate	Sensitive Gate	Sensitive Gate	Sensitive Gate	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery