На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MCR08BT1 | MCR08BT1,115 | MCR08BT1G | MCR08MT1 | MCR08MT1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | ||||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | NXP Semiconductors | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Repetitive peak off-state voltage | V | <200 В | <200 В | <200 В | <600 В | <600 В |
Напруга відмикання | VGT | <800 мВ | ||||
Максимальний середній струм у відкритому стані при вказаній температурі корпусу | IT(AV) | (не задано) | <500 мА | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Максимальний середньоквадратичний струм у відкритому стані | IT(RMS) | <800 мА | ||||
Струм відмикання | IGT | <200 мкА | ||||
Струм утримання | IH | <5 мА | ||||
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 10мс (50 Гц) | ITSM/50Hz | (не задано) | <8 А | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Максимальний однократний імпульс струму тривалістью 8,3мс (60 Гц) | ITSM/60Hz | <8 А | <9 А | <8 А | <8 А | <8 А |
Тип тиристора | Тип | Sensitive Gate | ||||